型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
Q65110A2467 | OSRAM |
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10IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung | |
Q65110A2482 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2484 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2485 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2486 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2487 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2488 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2490 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2491 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2517 | OSRAM |
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GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |