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Q62702-Z2036

更新时间： 2024-02-09 17:29:38

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管高压
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NPN Silicon High-Voltage Transistors

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Q62702-Z2036 数据手册

NPN Silicon High-Voltage Transistors

PZTA 42

PZTA 43

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: PZTA 92, PZTA 93 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

PZTA 42

PZTA 43

PZTA 42

PZTA 43

Q62702-Z2035

Q62702-Z2036

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

PZTA 42

300

PZTA 43

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

200

300

200

500

100

1.5

Base current

tot

Total power dissipation, T

= 124 ˚C

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 72

≤ 17

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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