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Q62702-Z2030

更新时间： 2024-02-29 14:32:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管
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PNP Silicon Switching Transistor

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Q62702-Z2030 数据手册

PNP Silicon Switching Transistor

PZT 3906

● High DC current gain 0.1 mA to 100 mA

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: PZT 3904 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

PZT 3906

ZT 3906

Q62702-Z2030

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

200

1.5

tot

Total power dissipation, T

= 80 ˚C

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 117

≤ 47

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5

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