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Q62702-Z2027

更新时间： 2024-02-11 03:26:57

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管
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NPN Silicon Switching Transistors

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Q62702-Z2027 数据手册

NPN Silicon Switching Transistors

PZT 2222

PZT 2222 A

● High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: PZT 2907 (PNP)

PZT 2907 A (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

PZT 2222

ZT 2222

Q62702-Z2026

SOT-223

PZT 2222 A

ZT 2222 A Q62702-Z2027

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

PZT 2222

PZT 2222 A

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

VCE0

VCB0

VEB0

Collector current

600

Total power dissipation, T^S= 110 ˚C

Junction temperature

tot

1.5

150

˚C

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 87

≤ 27

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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