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Q60215-Y1113

更新时间： 2024-11-26 22:19:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体光电晶体管光电晶体管
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6页	337K
描述
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

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Q60215-Y1113 数据手册

BPY 62

NPN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm

● Hohe Linearität

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1130 nm

● High linearity

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection suitable up to 125 °C

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPY 62

BPY 62-2

BPY 62-3

BPY 62-4

BPY 62-5

Q60215-Y62

Q60215-Y1111

Q60215-Y1112

Q60215-Y1113

Q62702-P1113

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.

Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we

will reserve us the right of delivering a substitute group.

10.95

Semiconductor Group

238

12 3 4 5 6

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