Datasheet > Q60215-Y111-S5

Q60215-Y111-S5

更新时间： 2024-11-26 22:19:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电电池
页数	文件大小	规格书
4页	189K
描述
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

Q60215-Y111-S5 数据手册

BPY 11 P

Silizium-Fotoelement

Silicon Photovoltaic Cell

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1060 nm

● Kathode = Chipunterseite

● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht

überzogen

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1060 nm

● Cathode = back contact

● Coated with a humidity-proof protective

layer

● Gruppiert lieferbar

● Binned by spectral sensitivity

Anwendungen

Applications

● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke

● zur Abtastung von Lichtimpulsen

● quantitative Lichtmessung im sichtbaren

Licht- und nahen Infrarotbereich

● For control and drive circuits

● Light pulse scanning

● Quantitative light measurements in the

visible light and near infrared range

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPY 11 P IV

BPY 11 P V

Q60215-Y111-S4

Q60215-Y111-S5

Semiconductor Group

183

10.95

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与Q60215-Y111-S5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
Q60215-Y62	INFINEON	获取价格	NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Q60215-Y63-S1	INFINEON	获取价格	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Q60215-Y65	INFINEON	获取价格	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Q60215-Y66	INFINEON	获取价格	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Q60215-Y67	INFINEON	获取价格	Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Q60217-Y20	INFINEON	获取价格	PNP THYRISTOR TETRODE
Q60218-X45	INFINEON	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
Q60218-X45-V10	INFINEON	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
Q60218-X45-V16	INFINEON	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
Q60218-X45-V6	INFINEON	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS