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PZTA43

更新时间： 2024-10-01 03:40:27

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友顺 - UTC		晶体晶体管光电二极管高压
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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PZTA43 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	80
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

PZTA43 数据手册

UTCPZTA42/43

NPNEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC PZTA42/43 are high voltage transistors,

designed for telephone switch and high voltage

switch.

FEATURES

*Collector-Emitter voltage:

VCEO=300V(UTC PZTA42)

VCEO=200V(UTC PZTA43)

*High current gain

*Complement to UTC PZTA92/93

*Collector Power Dissipation:

Pc(max)=1000mW

SOT-223

1:EMITTER 2,4:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (^Ta=25°C)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

UTC PZTA42

UTC PZTA43

Collector-Emitter Voltage

VCBO

300

200

UTC PZTA42

UTC PZTA43

VCEO

300

200

Emitter-Base Voltage

Collector Power Dissipation

Collector Current

Junction Temperature

Storage Temperature

VEBO

TSTG

°C

1000

500

150

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

UTC PZTA42

SYMBOL

BVCBO

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

Ic=100µA,IE=0

300

200

UTC PZTA43

Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVCEO

BVEBO

Ic=1mA,IB=0

UTC PZTA42

300

200

UTC PZTA43

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=100µA,Ic=0

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R207-005,B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZTA43_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PZTA43G-AA3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PZTA43L-AA3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PZTA43T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
PZTA43-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTA43-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTA43TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTA43TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
PZTA43TRL13	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
PZTA44	WEITRON	获取价格	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor