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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 350 ns |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.905 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.43 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PYX28C64X-20CWM | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-20CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-20L32M | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-20L32MB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-25CWM | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-25CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-25L32M | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-25L32MB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-30CWM | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64X-30CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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