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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 250 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.8928 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PYX28C64-25CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-25L32M | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-25L32MB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-30CWM | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-30CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-30L32M | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-35CWM | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-35CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-35L32M | PYRAMID |
获取价格 |
8K x 8 EEPROM |
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| PYX28C64-35L32MB | PYRAMID |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32 |
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