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PYA28HC25690LMB

更新时间： 2024-09-24 15:48:43

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PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	607K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 90ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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PYA28HC25690LMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
最长访问时间：	90 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：	1.905 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

PYA28HC25690LMB 数据手册

PYA28HC256

HIGH SPEED 32K x 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 70, 90 and 120ns

Single 5V±10% Power Supply

Software Data Protection

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

Simple Byte and Page Write

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Low Power CMOS:

- 80 mA Active Current

- 3 mA Standby Current

Data Retention: 10 Years

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

Fast Write Cycle Times

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

DESCRIPTIOꢀ

ThePYA28HC256isa5Volt32Kx8EEPROM. Thedevice

supports 64-byte page write operation. ThePYA28HC256

features DATA and Toggle Bit Polling as well as a system

software scheme used to indicate early completion of a

Write Cycle. The device also includes user-optional soft-

ware data protection. Data Retention is 10 Years. The

device is available in a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP

and 32-Pin LCC.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCꢁ DIAꢂRAM

PIꢀ COꢀFIꢂURATIOꢀ

DIP (C5-1)

LCC (L6)

Document # EEPROM106 REV OR

Revised January 2011

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PYA28HC256-90LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256E-120CWM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
PYA28HC256E-120CWMB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
PYA28HC256E-120LM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
PYA28HC256E-120LMB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
PYA28HC256E-12CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256E-12CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256E-12LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256E-12LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256E-70CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection

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