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PYA28HC256-70CWM

更新时间： 2024-09-24 21:07:03

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	691K
描述
EEPROM, 32KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

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PYA28HC256-70CWM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.39	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.89 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

PYA28HC256-70CWM 数据手册

PYA28HC256

HIGH SPEED 32K x 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 70, 90 and 120ns

Single 5V±10% Power Supply

Software Data Protection

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

Simple Byte and Page Write

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Low Power CMOS:

- 80 mA Active Current

- 3 mA Standby Current

Data Retention: 10 Years

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

Fast Write Cycle Times

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

DESCRIPTIOꢀ

ThePYA28HC256isa5Volt32Kx8EEPROM. Thedevice

supports 64-byte page write operation. ThePYA28HC256

features DATA and Toggle Bit Polling as well as a system

software scheme used to indicate early completion of a

Write Cycle. The device also includes user-optional soft-

ware data protection. Data Retention is 10 Years. The

device is available in a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP

and 32-Pin LCC.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCꢁ DIAꢂRAM

PIꢀ COꢀFIꢂURATIOꢀ

DIP (C5-1)

LCC (L6)

Document # EEPROM106 REV A

Revised January 2011

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PYA28HC25670CWMB	PYRAMID	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 70ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
PYA28HC256-70CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC25670LM	PYRAMID	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 70ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
PYA28HC256-70LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256-70LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256-90CWM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
PYA28HC25690CWMB	PYRAMID	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
PYA28HC256-90CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 70, 90 and 120ns Software Data Protection
PYA28HC256-90LM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
PYA28HC25690LMB	PYRAMID	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 90ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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