Datasheet > PYA28C16B-25LM

PYA28C16B-25LM

更新时间： 2024-09-24 00:37:51

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	663K
描述
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PYA28C16B-25LM 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	LCC-32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
长度：	13.97 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
座面最大高度：	1.905 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

PYA28C16B-25LM 数据手册

PYA28C16B

2K X 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

Endurance:

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum

Data Retention: 10 Years

Available in the following package:

– 24-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 150 µA Standby Current

Fast Write Cycle Time - DATA Polling

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

PIN CONFIGURATIONS

DESCRIPTION

The PYA28C16B is a 5 Volt 2Kx8 EEPROM. The PY-

A28C16B is a 16K memory organized as 2,048 words by

8 bits. Data Retention is 10 Years. The device is available

in a 24-Pin 600 mil wide Ceramic DIP and 32-Pin LCC.

DIP (C12)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LCC (L6)

Document # EEPROM109 REV OR

Revised October 2012

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与PYA28C16B-25LM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PYA28C16B-25LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16B-35CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16B-35CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16B-35LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16B-35LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16BE-15CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16BE-15CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16BE-15LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16BE-15LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
PYA28C16BE-20CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum

与PYA28C16B-25LM相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

2
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

3
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

77
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

67

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C16B-25LM

PYA28C16B-25LM 技术参数

PYA28C16B-25LM 数据手册

与PYA28C16B-25LM相关器件

与PYA28C16B-25LM相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C16B-25LM

PYA28C16B-25LM 技术参数

PYA28C16B-25LM 数据手册

与PYA28C16B-25LM相关器件

与PYA28C16B-25LM相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？