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PXTA42

更新时间： 2024-11-19 11:09:43

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安世 - NEXPERIA		/
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9页	790K
描述
300 V, 100 mA NPN high-voltage transistorProduction

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PXTA42 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

PXTA42 数据手册

PXTA42

300 V, 100 mA NPN high-voltage transistor

Rev. 5 — 11 July 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN high-voltage transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PXTA92.

1.2 Features and benefits

 High breakdown voltage

 AEC-Q101 qualified

 Medium power and flat lead SMD plastic package

1.3 Applications

 Electronic ballast for fluorescent lighting

 LED driver for LED chain module

 High Intensity Discharge (HID) front lighting

 Automotive motor management

 Hook switch for wired telecom

 Switch Mode Power Supply (SMPS)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

300

100

200

Unit

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

h_FE

DC current gain

V_CE= 10 V;

I_C= 30 mA

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PXTA42,135	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP Gen
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