Datasheet > PXAC203302FVV1R250XTMA1

PXAC203302FVV1R250XTMA1

更新时间： 2024-11-06 01:22:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
8页	1192K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 330 W, 28 V, 1880 â 2025 MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PXAC203302FVV1R250XTMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

PXAC203302FVV1R250XTMA1 数据手册

浏览型号PXAC203302FVV1R250XTMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号PXAC203302FVV1R250XTMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号PXAC203302FVV1R250XTMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号PXAC203302FVV1R250XTMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号PXAC203302FVV1R250XTMA1的Datasheet PDF文件第6页

PXAC203302FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

330 W, 28 V, 1880 – 2025 MHz

Description

PXAC203302FV

Package H-37275-4

The PXAC203302FV is a 330-watt LDMOS FET with an asym-

metrical design intended for use in multi-standard cellular power

ampliﬁer applications in the 1880 to 2025 MHz frequency band.

Features include dual-path design, input matching, high gain and

thermally-enhanced package with earless ﬂanges. Manufactured

with Inﬁneon's advanced LDMOS process, this device provides

excellent thermal performance and superior reliability.

Features

Single-carrier WCDMA Drive-up

V_DD= 28 V, I_DQ= 900 mA, ƒ = 2025 MHz,

3GPP WCDMA signal,

•ꢀ Broadband internal input and output matching

•ꢀ Asymmetrical Doherty design

- Main : P

- Peak : P

= 130 W Typ

= 200 W Typ

1dB

PAR = 10 dB, 3.84 MHz BW

•ꢀ Typical Pulsed CW performance, 2025 MHz, 28 V,

Efficiency

combined outputs, Doherty Conﬁguration

- Output power at P

- Efﬁciency = 55%

- Gain = 16 dB

= 250 W

1dB

Gain

•ꢀ Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 250 W

(CW) output power

•ꢀ Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/

-20

-40

-60

JEDEC JS-001)

PAR @ 0.01% CCDF

•ꢀ Integrated ESD protection

•ꢀ Low thermal resistance

c203302fv_g1

•ꢀ Pb-free and RoHS compliant

Average Output Power (dBm)

RF Characteristics

Single-carrier WCDMA Specifications (tested in Infineon Doherty test fixture)

= 28 V, I = 900 mA, V = 1.1 V, P = 56 W avg, ƒ = 2025 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84MHz,

GSPEAK

OUT

peak/average = 10 dB @ 0.01% CCDF

Characteristic

Gain

Symbol

Min

Typ

Max

—

Unit

Drain Efﬁciency

h_D

—

Adjancent Channel Power Ratio

ACPR

—

–30.5

–26

dBc

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 8

Rev. 02.1, 2016-06-22

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PXAC241002FC	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10
PXAC241002FCV1R0	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10
PXAC241002FC-V1-R0	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10
PXAC241002FCV1R2	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10
PXAC241002FC-V1-R2	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10
PXAC241702FC	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 15
PXAC241702FCV1R0	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 15
PXAC241702FCV1R0XTMA1	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 15
PXAC241702FCV1R250	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 15
PXAC241702FCV1R250XTMA1	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 15

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PXAC203302FVV1R250XTMA1

PXAC203302FVV1R250XTMA1 技术参数

PXAC203302FVV1R250XTMA1 数据手册

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关器件

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PXAC203302FVV1R250XTMA1

PXAC203302FVV1R250XTMA1 技术参数

PXAC203302FVV1R250XTMA1 数据手册

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关器件

与PXAC203302FVV1R250XTMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？