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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> PWB100A40
PWB100A40 PDF预览

PWB100A40

更新时间： 2024-01-24 15:25:52
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
THYRISTOR MODULE (NON-ISOLATED TYPE)

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PWB100A40 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE
最大直流栅极触发电流：180 mA最大直流栅极触发电压：2 V
快速连接描述：0螺丝端子的描述：0
最大维持电流：70 mA最大漏电流：15 mA
通态非重复峰值电流：3500 A元件数量：3
最大通态电流：157000 A重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

PWB100A40 数据手册

 浏览型号PWB100A40的Datasheet PDF文件第2页 
（NON-ISOLATED TYPE）  
THYRISTOR MODULE  
PWB100A  
PWB100A is a Thyristor module suitable for low voltage, 3 phase recifier applications.  
●
T(AV)  
I
100A (each device)  
93.5max  
80  
K2  
2
2-φ6.5  
● High Surge Current 3500 A (60Hz)  
● Easy Construction  
K3  
3
K2  
G2  
K1  
1
● Non-isolated. Mounting base as common Anode terminal  
K1G1  
G3 K3  
16.5  
23  
23  
3-M5  
（Applications）  
6-♯110TAB  
Welding power Supply  
Various DC power Supply  
K3  
K2  
K1 K2  
2
3
1
G2  
K1G1  
G3 K3  
A
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
PWB100A30  
PWB100A40  
RRM  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
300  
360  
300  
400  
480  
400  
V
V
V
RSM  
V
DRM  
V
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
100  
Unit  
A
T（AV）  
I
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：114℃  
T（RMS）  
I
157  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：114℃  
1
TSM  
I
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive  
3200 3500  
/
2
2
2
2
I t  
I t  
51000  
A S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
A
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
10  
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
50  
di／dt  
Tj  
I ＝200mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI dt＝1A μs  
A μs  
/
/
/
－30 to ＋150  
－30 to ＋125  
4.7（48）  
2.7（28）  
170  
℃
℃
Tstg  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mounting  
Torque  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
Mass  
g
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
at V , single phase, half wave, Tj＝150℃  
Ratings  
15  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
RRM  
I
DRM  
15  
at V , single phase, half wave, Tj＝150℃  
TM  
V
1.20  
On-State Current 310A, Tj＝25℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
150 2  
mA V  
/
/
1
GD  
V
D
DRM  
0.25  
10  
V
Tj＝150℃，V ＝／V  
2
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝100A，I ＝200mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
V
，dI dt＝1A μs  
μs  
/
/
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
50  
dv／dt  
Tj＝150℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V μs  
/
3
H
I
70  
mA  
Tj＝25℃  
Junction to case（1／Module）  
℃ W  
/
Thermal Impedance, max.  
0.3  
Rth（j-c）  
3
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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