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PTH32003

更新时间： 2024-11-18 22:19:47
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爱立信 - ERICSSON /
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4页 423K
描述
25 Watts, 1.9-2.0 GHz 50-Ohm High-Gain Power Hybrid

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PTH32003 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MT,1.0X1.1Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.15特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：23 dB
功能数量：1最大工作频率：1990 MHz
最小工作频率：1930 MHz封装主体材料：METAL
封装等效代码：FLANGE MT,1.0X1.1电源：26 V
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大电压驻波比：1.5Base Number Matches：1

PTH32003 数据手册

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PTH 32003  
25 Watts, 1.9–2.0 GHz  
50-Ohm High-Gain Power Hybrid  
Description  
•
Performance at 1.930 to 1.990 GHz,  
VSUPPLY = 26 V, VBIAS(1) = 8.0 V, VBIAS(2) = 8.0 V  
The PTH 32003 is a high–gain 50–ohm power hybrid intended for  
applications requiring linear amplification and high gain in the PCS  
frequency range. The part is designed to operate with 50–ohm source  
and load impedances and includes bias circuitry with temperature  
compensation. This device may be used as a high–gain driver or as a  
- Power Gain = +24 dB Nom.  
- Output Power = 25 Watts (P-1dB) Min  
- Small Signal Flatness = ±0.2 dB Min  
•
•
•
Higher gain available with increased bias  
voltages  
final output device. The PTH 32003 simplifies system design and saves  
space with an overall footprint of 1.21 square inch.  
Optimum performance guaranteed with bias  
voltages at 8.0 Volts  
Exceptional phase linearity and delay  
characteristics  
Typical Output Power vs. Input Power  
30  
f = 1.96 GHz  
25  
f = 1.93 GHz  
f = 1.99 GHz  
20  
e
32003  
VSUPPLY = 26 V  
VBIAS(1) = 8.0 V  
VBIAS(2) = 8.0 V  
15  
10  
5
A-1234560015  
0
0.00  
0.05  
0.10  
0.15  
0.20  
Input Power (Watts)  
Package J  
Performance Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Frequency Range  
V
DS  
(Nom.) = 26  
f
1930  
—
1990  
MHz  
Output Power at 1 dB Compressed  
V
(Nom.) = 26, V  
= 8.0 V, V  
= 8.0 V, V  
= 8.0 V  
= 8.0 V  
P-1dB  
25  
—
30  
—
1.5:1  
—
W
—
dB  
DS  
BIAS(1)  
BIAS(1)  
BIAS(2)  
Input VSWR  
(Nom.) = 26, V  
V
DS  
y
1.2:1  
+24  
BIAS(2)  
Small Signal Gain  
V
DS  
(Nom.) = 26 V, V  
= 8.0 V, V  
= 8.0 V,  
= 8.0 V  
P
g
+23  
BIAS(1)  
BIAS(2)  
I
= 270 mA, I  
= 360 mA  
DQ(1)  
DQ(2)  
Gain Flatness  
(Nom.) = 26 V, V  
V
DS  
= 8.0 V, V  
BIAS(1)  
—
±0.2  
±0.15  
—
dB  
BIAS(2)  
e
1
1234

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