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PTF10100

更新时间： 2024-11-10 22:26:11

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爱立信 - ERICSSON		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	167K
描述
165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor

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PTF10100 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTF10100 数据手册

PTF 10100

165 Watts, 860–900 MHz

LDMOS Field Effect Transistor

Description

The 10100 is an internally matched common source N-channel

enhancement-mode lateral MOSFET intended for large signal amplifier

applications from 860 to 900 MHz. It is rated at 165 watts power output.

Nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent

device lifetime and reliability.

•

INTERNALLY MATCHED

Performance at 894 MHz, 28 Volts

- Output Power = 165 Watts

- Power Gain = 13.0 dB Typ

- Drain Efficiency = 50% Typ

•

Full Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Back Side Common Source

100% lot traceability

Typical Output Power & Efficiency vs. Input Power

180

140

100

Efficiency

10100

A-1234569917

V_DD= 28.0 V

I_DQ= 1.8 A Total

f = 880 MHz

Output Power

Input Power (Watts)

Package 20250

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

°C

(1)

Drain-Source Voltage

DSS

(1)

Gate-Source Voltage

±20

200

Operating Junction Temperature

Total Device Dissipation at T

= 25°C

500

Watts

W/°C

flange

Above 25°C derate by

2.85

Storage Temperature Range

–40 to +150

0.35

°C

STG

Thermal Resistance (T

flange

= 70°C)

°C/W

qJC

(1)

per side

12 3 4 5 6

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