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PTF10049 PDF预览

PTF10049

更新时间： 2024-11-11 15:48:35
品牌 Logo 应用领域
爱立信 - ERICSSON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 271K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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PTF10049 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTF10049 数据手册

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PTF 10049  
85 Watts, 470–860 MHz  
GOLDMOS™ Field Effect Transistor  
Description  
The PTF 10049 is an internally matched, common source, N-channel  
enhancement-mode lateral MOSFET intended for large signal television  
amplifier applications in the 470 to 860 MHz band. It is rated at 85 watts  
power output. Nitride surface passivation and full gold metallization  
ensure excellent device lifetime and reliability.  
•
•
INTERNALLY MATCHED  
Performance at 800 MHz, 32 Volts  
- Output Power = 85 Watts  
- Power Gain = 13.5 dB Typ  
- Efficiency = 58% Typ  
•
•
•
•
Full Gold Metallization  
Silicon Nitride Passivated  
Excellent Thermal Stability  
100% Lot Traceability  
Typical Output Power and Efficiency vs. Input Power  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Output Power  
Efficiency  
10049  
A-1234569813  
VDD = 32 V  
IDQ = 400 mA  
per side  
f = 800 MHz  
0
2
4
6
Input Power (Watts)  
Package 20240  
RF Specifications (100% Tested)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Common Source Power Gain  
(V = 32 V, P  
= 30 W, I  
= 400 mA per side, f = 800 MHz)  
G
ps  
12.0  
85  
13.5  
100  
58  
—
—
—
—
dB  
Watts  
%
DD  
OUT  
DQ  
Power Output at 1 dB Compression  
(V = 32 V, I = 400 mA per side, f = 800 MHz)  
P-1dB  
DD  
DQ  
Drain Efficiency  
(V = 32 V, P  
= 85 W, I  
= 400 mA per side, f = 800 MHz)  
h
D
52  
DD  
OUT  
DQ  
Distortion  
(V = 32 V, P  
= 85 W(PEP), I  
= 400 mA per side,  
IMD  
3
–30  
–35  
dBc  
DD  
OUT  
DQ  
f = 800 MHz, f = 801 MHz)  
1
2
Load Mismatch Tolerance  
(V = 32 V, P = 42.5 W, I = 400 mA per side, f = 800 MHz  
DQ  
Y
—
—
5:1  
—
DD  
OUT  
—all phase angles at frequency of test)  
All published data at T = 25°C unless otherwise indicated.  
CASE  
e
1
123456

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