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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PTF10048 | ERICSSON |
获取价格 |
30 Watts, 2.1-2.2 GHz, W-CDMA GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10049 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTF10052 | ERICSSON |
获取价格 |
35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10053 | ERICSSON |
获取价格 |
12 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10065 | ERICSSON |
获取价格 |
30 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10100 | ERICSSON |
获取价格 |
165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10107 | ERICSSON |
获取价格 |
5 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10111 | ERICSSON |
获取价格 |
6 Watts, 1.5 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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| PTF10112 | ERICSSON |
获取价格 |
60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
|
| PTF10119 | ERICSSON |
获取价格 |
12 Watts, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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