5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PTF10036
PTF10036 PDF预览

PTF10036

更新时间： 2024-11-10 22:26:11
品牌 Logo 应用领域
爱立信 - ERICSSON 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 223K
描述
85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

PTF10036 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTF10036 数据手册

 浏览型号PTF10036的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PTF10036的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTF10036的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTF10036的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTF10036的Datasheet PDF文件第6页 
PTF 10036  
85 Watts, 860–960 MHz  
GOLDMOS™ Field Effect Transistor  
Description  
The PTF 10036 is an internally matched, 85 Watt LDMOS FET  
intended for large signal amplifier applications from 860 to 960 MHz.  
Nitride surface passivation and full gold metallization ensure  
excellent device lifetime and reliability.  
•
•
INTERNALLY MATCHED  
Performance at 960 MHz, 28 Volts  
- Output Power = 85 Watts  
- Power Gain = 12.5 dB Typ  
- Efficiency = 55% Typ  
•
•
•
•
Full Gold Metallization  
Silicon Nitride Passivated  
Back Side Common Source  
100% Lot Traceability  
Typical Output Power vs. Input Power  
100  
80  
60  
40  
20  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
Efficiency (%)  
Output Pow er  
10036  
A-1234569744  
VDD = 28 V  
IDQ = 800 mATotal  
f = 960 MHz  
0
1
2
3
4
5
6
Input Power (Watts)  
Package 20240  
RF Specifications (100% Tested)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Gain  
(V = 28 V, P  
= 85 W, I  
= 800 mATotal, f = 900 MHz)  
G
ps  
11.0  
85  
12.5  
90  
—
—
dB  
Watts  
%
DD  
OUT  
DQ  
Power Output at 1 dB Compression  
(V = 28 V, I = 800 mA Total, f = 900 MHz)  
P-1dB  
DD  
DQ  
Drain Efficiency  
(V = 28 V, P  
= 85 W, I = 800 mATotal, f = 900 MHz)  
DQ  
h
50  
55  
—
DD  
OUT  
Load Mismatch Tolerance  
(V = 28 V, P = 85 W(PEP), I = 800 mA Total,  
DQ  
Y
—
—
3:1  
—
DD  
OUT  
f = 867, 867.1 MHz—all phase angles at frequency of test)  
All published data at T = 25°C unless otherwise indicated.  
CASE  
e
1
123456

中文翻译

下载PDF

与PTF10036相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTF10037 ERICSSON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTF10041 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
PTF10043 ERICSSON

获取价格

 		12 Watts, 1.9-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10045 ERICSSON

获取价格

 		30 Watts, 1.60-1.65 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10048 ERICSSON

获取价格

 		30 Watts, 2.1-2.2 GHz, W-CDMA GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10049 ERICSSON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTF10052 ERICSSON

获取价格

 		35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10053 ERICSSON

获取价格

 		12 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10065 ERICSSON

获取价格

 		30 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10100 ERICSSON

获取价格

 		165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor

与PTF10036相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证