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PTE10122

更新时间: 2024-11-12 20:05:51
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爱立信 - ERICSSON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 187K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

PTE10122 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PTE10122 数据手册

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