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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PTE10101 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10101-A | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10107 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| PTE10114 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| PTE10122 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| PTE10125 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| PTE11320 | CELDUC |
获取价格 |
MAGNETIC PROXIMITY SENSOR |
|
| PTE11321 | CELDUC |
获取价格 |
MAGNETIC PROXIMITY SENSOR |
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| PTE2005G1A | SENSORTECHNICS |
获取价格 |
Precision stainless steel pressure transmitters |
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| PTE2005G1C | SENSORTECHNICS |
获取价格 |
Precision stainless steel pressure transmitters |
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