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PTE10052

更新时间： 2024-09-24 21:11:51
品牌 Logo 应用领域
爱立信 - ERICSSON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 20235, 2 PIN

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PTE10052 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTE10052 数据手册

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PTF 10007  
GOLDMOS® Field Effect Transistor  
35 Watts, 1.0 GHz  
Description  
•
Performance at 960 MHz, 28 Volts  
- Output Power = 35 Watts  
- Power Gain = 13.5 dB Typ  
- Efficiency = 55% Typ  
The PTF 10007 is a 35 Watt GOLDMOS FET intended for large  
signal amplifier applications to 1.0 GHz. It operates at 55% efficiency  
and 13.5 dB of gain. Nitride surface passivation and gold metallization  
ensure excellent device lifetime and reliability.  
•
•
•
•
•
Full Gold Metallization  
Silicon Nitride Passivated  
Back Side Common Source  
100% lot traceability  
Available in Package 20235 as PTF 10052  
Typical Output Power & Efficiency  
vs. Input Power  
Package  
20222  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
80  
60  
40  
20  
0
10007  
A-1234569723  
Output Pow er (W)  
Efficiency (%)  
VDD = 28 V  
DQ = 300 mA  
I
f = 960 MHz  
10052  
Package  
20235  
A-1234569999  
0
1
2
3
Input Power (Watts)  
RF Specifications (100% Tested)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Units  
Gain  
(V = 28 V, P  
= 35 W, I  
= 300 mA, f = 960 MHz)  
G
ps  
12.0  
35  
13.5  
—
—
—
dB  
Watts  
%
DD  
OUT  
DQ  
Power Output at 1 dB Compression  
(V = 28 V, I = 300 mA, f = 960 MHz)  
P-1dB  
DD  
DQ  
Drain Efficiency  
(V = 28 V, P  
= 35 W, I  
= 300 mA, f = 960 MHz)  
= 300 mA, f = 960 MHz—  
h
50  
55  
—
DD  
OUT  
DQ  
Load Mismatch Tolerance  
(V = 28 V, P = 35 W, I  
Y
—
—
10:1  
—
DD  
OUT  
DQ  
all phase angles at frequency of test)  
All published data at TCASE = 25°C unless otherwise indicated.  
e
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTE10053 ERICSSON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTE10101 ERICSSON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
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