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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PTE10011 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| PTE10012 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| PTE10015 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10019 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10020 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10021 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| PTE10026 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10027 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| PTE10035 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| PTE10036 | ERICSSON |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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