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PTB20258

更新时间： 2024-11-20 22:44:15
品牌 Logo 应用领域
爱立信 - ERICSSON 晶体晶体管射频蜂窝无线
页数 文件大小 规格书
3页 213K
描述
6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

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PTB20258 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：1.7 A
集电极-发射极最大电压：28 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTB20258 数据手册

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e
PTB 20258  
6 Watts, 915–960 MHz  
Cellular Radio RF Power Transistor  
Description  
The 20258 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor  
intended for 25 Vdc operation from 915 to 960 MHz. Rated at 6 watts  
minimum output power, it may be used for both CW and PEP  
applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold  
metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot  
traceability is standard.  
• 6 Watts, 915–960 MHz  
• Class AB Characteristics  
• 50% Typ Collector Efficiency at 6 Watts  
• Tested to solderability standards:  
- IEC-68-2-54  
- ANSI/J Std-002-A  
• Gold Metallization  
• Silicon Nitride Passivated  
Typical Output Power and Efficiency vs. Input Power  
8
6
4
2
0
80  
68  
56  
44  
32  
20  
Output Power  
Efficiency  
20258  
LOT CODE  
VCC = 25 V  
I
CQ = 27 mA  
f = 960 MHz  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
Input Power (Watts)  
Package 20208  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
55  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
V
CER  
CBO  
EBO  
V
V
60  
Emitter-Base Voltage (collector open)  
Collector Current (continuous)  
4.0  
I
C
1.7  
Total Device Dissipation at T  
Above 25°C derate by  
= 25°C  
P
22  
Watts  
W/°C  
D
flange  
0.125  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance (T  
T
-40 to +150  
8
°C  
stg  
= 70°C)  
R
θJC  
°C/W  
flange  
1
7-21-98  
123

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