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PTB20101

更新时间： 2024-11-17 22:26:11

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爱立信 - ERICSSON		晶体晶体管电视放大器局域网
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3页	48K
描述
175 Watts P-Sync, 470-860 MHz UHF TV Power Transistor

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PTB20101 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTB20101 数据手册

PTB 20101

175 Watts P-Sync, 470–860 MHz

UHF TV Power Transistor

Description

The 20101 is a class AB, NPN, common emitter UHF TV power

transistor intended for 28 Vdc operation from 470 to 860 MHz. It is

rated at 175 watts P-sync minimum output power. Ion implantation,

nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure

excellent device reliability. 100% lot traceability is standard.

28 Volt, 860 MHz Characteristics

- Output Power = 175 Watts P-Sync

- Output Power = 110 (CW)

- Gain = 10.0 dB Min

55% Collector Efficiency at 110 Watts

Class AB Characteristics

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Gain vs. Frequency

(as measured in a broadband circuit)

20101

LOT CODE

V_CC= 28 V

I_CQ= 2 x 200 mA

Pout = 110 W

400

500

600

700

800

900

Package 20224

Frequency (MHz)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

330

Watts

W/°C

flange

1.89

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

0.53

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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