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PTB20011

更新时间： 2024-11-19 22:26:11

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爱立信 - ERICSSON		晶体射频双极晶体管电视放大器局域网
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3页	50K
描述
20 Watts P-Sync, 470-860 MHz UHF TV Linear Power Transistor

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PTB20011 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	9 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTB20011 数据手册

PTB 20011

20 Watts P-Sync, 470–860 MHz

UHF TV Linear Power Transistor

Description

The 20011 is an NPN common emitter UHF power transistor intended

for 26.5 Vdc class A operation from 470 to 860 MHz. It is rated at 20

watts (p-sync) output power, and may be used for both CW and PEP

applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold

metallization ensure excellent device reliability. 100% lot traceability

is standard.

20 Watts (P-Sync), 470–860 MHz

Class A Characteristics

Gold Metallization

Silicon Nitride Passivated

Typical Output Power vs. Input Power

2001

LOT CODE

V_CC= 26.5 V

_CQ= 3.0 A Total

f = 860 MHz

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

Package 20211

Input Power (Watts)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CER

CBO

EBO

Emitter-Base Voltage (collector open)

Collector Current (continuous)

4.0

9.0

Total Device Dissipation at T

Above 25°C derate by

= 25°C

145

Watts

W/°C

flange

0.83

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (T

–40 to +150

1.2

°C

STG

= 70°C)

°C/W

θJC

flange

9/28/98

12 3

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与PTB20011相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTB20017	ERICSSON	获取价格	150 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20020	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PTB20030	ERICSSON	获取价格	15 Watts, 420-470 MHz RF Power Transistor
PTB20031	ERICSSON	获取价格	40 Watts, 420-470 MHz RF Power Transistor
PTB20038	ERICSSON	获取价格	25 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20038	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PTB20046	ERICSSON	获取价格	1 Watt, 1465-1513 MHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20050	ERICSSON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN
PTB20051	ERICSSON	获取价格	6 Watts, 1.465-1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor
PTB20053	ERICSSON	获取价格	60 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor