PT3642

更新时间： 2024-02-06 08:20:16

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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PT3642 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-60
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	3 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-60
JESD-30 代码：	O-MUPM-P3	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	23 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz
Base Number Matches：	1

PT3642 数据手册

PT3642

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI PT3642 is Designed for

Class A,B,C Amplifier, Oscillator and

Driver Applications Covering 130 to

400MHz.

PACKAGE STYLE TO- 60

FEATURES INCLUDE:

• Emitter Ballasted

• Common Emitter Package

MAXIMUM RATINGS

3.0 A

40 V

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

23 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

7.6 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR

CASE = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_C= 500 µA

BV_CEX

BV_CBO

I_CEO

V_BE= -1.5 V

V_CE= 30 V

V_EB= 4.0 V

V_CE= 5.0 V

250

µA

---

I_EBO

h_FE

I_C= 1.0 A

5.0

C_ob

f_t

_CB= 30 V

_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

I_C= 150 mA

f = 100 MHz

400

MHz

P_out

G_P

η_C

13.5

5.8

V_CE= 28 V

f = 175 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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