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PSB33F12

更新时间： 2024-11-26 11:55:43
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POWERSEM /
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2页 299K
描述
Single Phase Rectifier Bridge(FRED)

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PSB33F12 数据手册

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ECO-PACTM 1  
Single Phase  
PSB 33F  
IdAV  
VRRM  
trr  
= 32 A  
Rectifier Bridge  
= 800 - 1200 V  
= 40 ns  
with fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)  
+
Preliminary Data Sheet  
VRSM VRRM  
VDSM VDRM  
Type  
~
A
~ N  
(V)  
(V)  
K
-
800 800 PSB 33F/08  
1200 1200 PSB 33F/12  
Symbol  
I*dAV  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
TC = 85 °C, (per module)  
32  
90  
A
A
A
A
A
A
IdAVM  
•
•
•
•
•
Package with DCB ceramic base plate  
Isolation voltage 3000 V  
Planar glass passivated chips  
Low forward voltage drop  
Leads suitable for PC board  
soldering  
IFSM  
TVJ = 45 °C t = 10 ms (50 Hz), sine  
90  
100  
75  
VR = 0  
VJ = TVJM  
VR = 0  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
T
85  
∫ i2 dt  
TVJ = 45 °C t = 10 ms (50 Hz), sine  
40  
40  
30  
30  
A²s  
A²s  
A²s  
A²s  
•
UL registered, E 148688  
VR = 0  
VJ = TVJM  
VR = 0  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
T
Applications  
•
•
Supplies for DC power equipment  
Input and output rectifier for high  
frequency  
Battery DC power supplies  
Field supply for DC motors  
TVJ  
-40... + 150  
150  
-40... + 125  
°C  
°C  
°C  
V
V
TVJM  
Tstg  
•
•
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
3000  
3600  
IISOL ≤ 1 mA  
t = 1 s  
Md  
Mounting torque  
(M4)  
1.5 - 1.8  
14 - 16  
16  
Nm  
lb.in.  
g
Advantages  
Weight  
typ.  
•
•
•
Easy to mount with two screws  
Space and weight savings  
Improved temperature and power  
cycling capability  
Symbol  
IR  
Test Conditions  
VR = VRRM, TVJ = TVJM  
VR = VRRM, TVJ = 25°C  
Characteristic Value  
≤
≤
≤
0.5  
0.1  
2.73  
1.32  
30  
1.6  
0.4  
1.9  
mA  
mA  
V
V
mΩ  
K/W  
K/W  
K/W  
•
•
Low noise switching  
Small and light weight  
VF  
VTO  
rT  
IF = 15 A,  
TVJ = 25 °C  
For power-loss calculations only  
Package style and outline  
Dimensions in mm (1mm = 0.0394“)  
RthJC  
per diode; DC  
per module  
per diode; DC  
RthJK  
IRM  
trr  
per module  
0.48  
typ. 5  
K/W  
IF=25A; -diF/dt=100A/µs; VR=100V  
L=0.05 mH; TVJ= 100°C  
IF=1A; -diF/dt=100A/µs; VR=30V;  
TVJ= 25°C  
A
typ. 40  
ns  
ds  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creeping distance in air  
11.2  
9.7  
50  
mm  
mm  
m/s²  
Max. allowable acceleration  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
*- for resistive load at bridge output  
2005 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53  
D - 91126 Schwabach  
Phone: 09122 - 9764 - 0 FAX: 09122 - 9764 - 20  
12

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