PJSEMI (平晶微) 更新时间:2025-04-29 20:09:49
东莞平晶微电子科技有限公司成立于2016年,主要致力于IC和半导体分立器件的封测,并建立自主生产基地;公司总部位于广东省东莞市寮步镇,并先后在东莞、深圳、北京、上海、杭州、长沙、南京、成都、厦门、武汉、济南、宁波等地建立销售和服务中心。 公司可提供完整的分立器件解决方案,产品种类囊括各类场效应管(MOS)、低压差线性稳压器(LDO)、IC、晶体管、整流管、稳压管、瞬态电压抑制管(TVS)、肖特基(SBD)等;公司拥有近万平米制造厂房,引进大批DISCO、ASM、PowerTech、Juno等全新自动化生产和测试设备,持续为客户提供优品质、高可靠性产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
PJ75AL30SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):36V;最大输出电流(A):100mA;通道数:1;最小工作温度(℃) | ||
PJ75AL50SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):36V;最大输出电流(A):150mA;通道数:1;最小工作温度(℃) | ||
PJ73AL36SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):20V;最大输出电流(A):300mA;通道数:1;最小工作温度(℃) | ||
PJ73AL33SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):20V;通道数:1;元器件封装:SOT-89; | ||
PJ71K33SC | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):24V;最大输出电流(A):30mA;通道数:1;最小工作温度(℃): | ||
PJ73AL50SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):20V;通道数:1;元器件封装:SOT-89; | ||
PJ75AL36SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):36V;通道数:1;元器件封装:SOT-89; | ||
PJ75AL50SA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):36V;最大输出电流(A):150mA;通道数:1;最小工作温度(℃) | ||
PJ71K30SC | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
最大输入耐压(V):24V;最大输出电流(A):30mA;通道数:1;最小工作温度(℃): | ||
MMBT9015C | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
CE结击穿电压Vceo(V):45V;最大集电极电流Ic(mA):100mA;类型:PNP | ||
PJM3415PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):4A;最大导通阻抗Ron(mΩ):50 | |
PJM2309PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):2A;最大导通阻抗Ron(mΩ):20 | |
PJM84PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):50V;额定电流Id(A):130mA;最大导通阻抗Ron(mΩ) | |
PJM2301PSA-S | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):2A;最大导通阻抗Ron(mΩ):12 | |
PJM2305PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):12V;额定电流Id(A):4.1A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
PJM2301PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):2.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
PJM3407PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.1A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
PJM2302NSA-S | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):2A;最大导通阻抗Ron(mΩ):50 | |
PJM3401PSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):4.1A;最大导通阻抗Ron(mΩ): | |
PJM2302NSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
PJM138NSA | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
栅 | 漏源电压Vdss(V):50V;额定电流Id(A):220mA;最大导通阻抗Ron(mΩ) | |
1N5819WS | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV 3 | ||
TL431SQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
|||
TL431ASQ | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
|||
LMV321 | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
|||
MMBT8550D | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
MMBT8050D | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
CE结击穿电压Vceo(V):25V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:NPN; | ||
MMBTSA1037 | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
PNP Transistor | ||
MMBTSC1623 | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
NPN Transistor | ||
MMBTSA812 | PJSEMI | 获取价格 | ![]() |
PNP Transistor |
PJSEMI (平晶微) 热门型号