MICROSS COMPONENTS 更新时间:2023-08-12 00:02:32
拥有 40 多年历史的 Micros 开始转型特种电子,创建了一家全球性公司,提供业内最广泛的产品和服务,并迅速成为全球领先的特种微电子元件单源供应商,以最高质量标准设计和制造。 多年来,Micross获得了这些区域行业领导者的专业知识,为各种类型集成电路和互连选项创建单源解决方案今天,Micross继续服务于航空航天和国防,航天,医疗,工业和商业市场,从一个来源提供最全面的高可靠性微电子组件和服务范围。Micross坚定不移地专注于我们的使命和核心价值观,使我们从竞争中脱颖而出,并赋予我们的团队始终履行客户承诺的能力,同时继续坚持我们所做的一切卓越的质量。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
AS8S512K32AP-12/883C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-17L/833C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-12L/IT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-15L/XT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-12L/XT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-17/883C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-15L/883C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8S512K32AP-17L/XT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, PGA-66 | |
AS5SS128K36DQ-15/883C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | ZBT SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
AS8FLC1M32BQ-90/Q | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Flash, 1MX32, 90ns, CQFP68, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68 | ||
AS8SLC512K32P-15/XT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, PGA-66 | |
AS8SLC512K32Q1-10/IT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM Module, 512KX32, 10ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q1-10/XT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM Module, 512KX32, 10ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
5962-3829418MMC | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 | |
AS29F040F-70/MIL | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
可编程只读存储器内存集成电路 | Flash, | |
ASJE1200R100SM-EL/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, | ||
ASJE1200R100SY-EL/V | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carb | ||
ASJE1200R100SY-EL/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carb | ||
ASJE1200R100SY-EX/V | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carb | ||
ASJE1200R100SY-EX/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carb | ||
AS8S512K32P-17/833C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM, | |
AS8SLC512K32Q-15/883C | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-15/IT | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
静态存储器内存集成电路 | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
ASJE1200R063SY-EX/V | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | ||
ASJE1200R063SM-EL/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, | ||
ASJE1200R063SM-EX | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, | ||
ASJE1200R063SY-EX | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | ||
ASJE1200R063SY-EL/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | ||
ASJE1200R063SM-EL/V | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, | ||
ASJE1200R063SY-EX/S | MICROSS | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca |
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