Infineon (英飞凌) 更新时间：2025-07-08 18:00:28
英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、移动性和安全性，为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年（截止到2011年9月份），公司实现销售额39.97亿欧元。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| IMDQ75R060M2H | INFINEON | 获取价格 |  |
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers | ||
| IMDQ75R025M2H | INFINEON | 获取价格 | |
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers | ||
| IMDQ75R016M2H | INFINEON | 获取价格 | |
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers | ||
| IMDQ75R004M2H | INFINEON | 获取价格 | |
The CoolSiC™ MOSFET 750 V Generation 2 offers | ||
| IMCQ120R078M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 78 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R053M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 53 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R040M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 40 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R034M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 34 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R026M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 26 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R017M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 17 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R010M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 10 mΩ G2 in | ||
| IMCQ120R007M2H | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 7 mΩ G2 in a | ||
| IGLT65R110B2 | INFINEON | 获取价格 | |
The IGLT65R110B2 is a 650 V normally-off bidirectional power transistor in TOLT package, e | ||
| IGLT65R055B2 | INFINEON | 获取价格 | |
The IGLT65R055B2 is a 650 V normally-off bidirectional power transistor in TOLT package, e | ||
| IGLR70R270D2S | INFINEON | 获取价格 | |
The IGLR70R270D2S GaN power transistor allows | ||
| IGLR70R200D2S | INFINEON | 获取价格 | |
The IGLR70R200D2S GaN power transistor allows | ||
| IGLR70R140D2S | INFINEON | 获取价格 | |
The IGLR70R140D2S GaN power transistor allows | ||
| IGI65D1414A3MS | INFINEON | 获取价格 | |
IGI65D1414A3MS combines a half-bridge power s | ||
| IDWD75G120C5 | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 75 A G5 in a | ||
| IDWD60G120C5 | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 60 A G5 in a | ||
| IDWD50G120C5 | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 50 A G5 in a | ||
| IDWD150G120C5 | INFINEON | 获取价格 | |
CoolSiC™ Schottky diode 1200 V, 150 A G5 in a | ||
| ICL8830 | INFINEON | 获取价格 | |
The ICL8830 controller is tailored for high-frequency switching operation and capable to d | ||
| ICE186EM | INFINEON | 获取价格 | |
The ICE186EM with primary enable/disable pin and 60 W power class in a small SMD footprint | ||
| ICE184EM | INFINEON | 获取价格 | |
The ICE184EM with primary enable/disable pin and 45 W power class in a small SMD footprint | ||
| IAUTN15S6N038T | INFINEON | 获取价格 | |
IAUTN15S6N038T is built with Infineon’s leadi | ||
| IAUTN15S6N038G | INFINEON | 获取价格 | |
IAUTN15S6N038G is built with Infineon’s leadi | ||
| IAUCN08S7N045T | INFINEON | 获取价格 | |
汽车MOSFET | ||
| IAUCN08S7N024T | INFINEON | 获取价格 | |
IAUCN08S7N024T is an automotive MOSFET built | ||
| IAUCN08S7N019T | INFINEON | 获取价格 | |
IAUCN08S7N019T is an automotive MOSFET built | ||
Infineon (英飞凌) 经销商与分销商
| 公司名称 | 类型 | 国家 | 官网 | 地址 |
| 安富利电子 | 分销商 | 中国 | https://www.avnet.com/ | 上海市徐汇区虹梅路1801号凯科国际大厦12楼 |
| 富昌电子 | 分销商 | 中国 | https://www.futureelectronics.cn/ | 上海市浦东新区东育路221弄11号前滩世贸中心三期B座三楼 |
| 艾睿电子 | 分销商 | 中国 | https://www.arrow.cn/ | 上海市静安区裕通路100号宝矿洲际商务中心12层艾睿电子 |
| 欧时电子元件有限公司 | 分销商 | 中国 | https://hkcn.rs-online.com/ | 新界葵涌葵昌路51号九龙贸易中心一座16楼1601室 |
| 贸泽电子 | 分销商 | 中国 | https://www.mouser.cn/ | 上海市长宁区娄山关路555号长房国际广场办公楼2506-2510室 |
| 得捷电子 | 分销商 | 中国 | https://www.digikey.cn/ | 上海市长宁区长宁路1133号长宁来福士广场T1幢办公楼32层3202、3203、3205、3206单元 |
Infineon (英飞凌) 热门型号
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