Infineon (英飞凌) 更新时间:2025-03-31 15:02:02
英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、移动性和安全性,为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年(截止到2011年9月份),公司实现销售额39.97亿欧元。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
TLF35585QUS01 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The wide switching frequency range allows optimization in respect of efficiency and usage | ||
IDWD50G200C5 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
CoolSiC™ Schottky diode 2000 V, 50 A generati | ||
IMDQ65R020M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2 (G2) i | ||
TLF35585QVS02 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The wide switching frequency range allows optimization in respect of efficiency and usage | ||
IAUC60N10S5L110 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The IAUC60N10S5L110 is an 11mR 100V MOSFET in | ||
6EDL7151 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The MOTIX™ 6EDL7151 is 3-phase a smart gate d | ||
IMDQ65R010M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2 (G2) i | ||
IRHNKC9A7034 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Rad hard, 60V, 40A, N-channel MOSFET, R9 in S | ||
IGB08N120S7 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | Hard-switching 1200 V, 8 A single TRENCHSTOP™ | |
IAUCN04S7N019D | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
汽车MOSFET | ||
IAUCN10S7L180 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
IAUCN10S7L180 is an automotive MOSFET built | ||
IPD047N03LF2S | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V t | ||
F4-35MR07W2D7S8_B13/A | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Capacitor possible | ||
IAUCN04S7L019 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
A portfolio of 16 products (RDS (on) max from | ||
ISC028N03LF2S | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V t | ||
IMZC120R012M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 12 mΩ G2 | ||
GS-065-014-6-L-TR | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The GS-065-014-6-L is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that | ||
IAUCN04S7N009 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
A portfolio of 16 products (RDS (on) max from | ||
IMZA65R010M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 10 mΩ G2 in a TO-2 | ||
IDC52D75H8DA | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Our latest EDT3 devices offer voltage classes of 750 V and 1200 V, delivering unprecedente | ||
IDWD10G200C5 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
CoolSiC™ Schottky diode 2000 V, 10 A generati | ||
Automotive PSOC? 4100S Max | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Automotive PSOC™ 4 S-Series | ||
IAUMN08S5N013G | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
OptiMOS™ 5 80V automotive MOSFET offered in o | ||
IQD063N15NM5CGSC | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The power MOSFET IQD063N15NM5CGSC comes with a low RDS(on) of 6,32 mOhm combined with outs | ||
IMDQ65R007M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2 (G2) i | ||
IMBG65R060M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 60 mΩ G2 in a D2PA | ||
ISC023N03LF2S | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V t | ||
IAUCN04S7N020 | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
A portfolio of 16 products (RDS (on) max from | ||
IGC100T75H12RDYA | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
Our latest EDT3 devices offer voltage classes of 750 V and 1200 V, delivering unprecedente | ||
IMW65R010M2H | INFINEON | 获取价格 | ![]() |
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 10 mΩ G2 in a TO-2 |
Infineon (英飞凌) 经销商与分销商
公司名称 | 类型 | 国家 | 官网 | 地址 |
安富利电子 | 分销商 | 中国 | https://www.avnet.com/ | 上海市徐汇区虹梅路1801号凯科国际大厦12楼 |
富昌电子 | 分销商 | 中国 | https://www.futureelectronics.cn/ | 上海市浦东新区东育路221弄11号前滩世贸中心三期B座三楼 |
艾睿电子 | 分销商 | 中国 | https://www.arrow.cn/ | 上海市静安区裕通路100号宝矿洲际商务中心12层艾睿电子 |
欧时电子元件有限公司 | 分销商 | 中国 | https://hkcn.rs-online.com/ | 新界葵涌葵昌路51号九龙贸易中心一座16楼1601室 |
贸泽电子 | 分销商 | 中国 | https://www.mouser.cn/ | 上海市长宁区娄山关路555号长房国际广场办公楼2506-2510室 |
得捷电子 | 分销商 | 中国 | https://www.digikey.cn/ | 上海市长宁区长宁路1133号长宁来福士广场T1幢办公楼32层3202、3203、3205、3206单元 |
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