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PRFMB400E6

更新时间： 2024-01-21 07:28:50

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NIEC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	248K
描述
IGBT Module-Dual

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PRFMB400E6 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	400 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	400 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
Base Number Matches：	1

PRFMB400E6 数据手册

ＰＲＦＭＢ４００Ｅ６

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ

□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

４００Ａ，６００Ｖ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

108

±0.25

4-Ø6.5

3-M6

14 11 14 11

7(G2)

6(E2)

(C2E1)

(E2)

(C1)

LABEL

Dimension:［mm］

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

ＩｔｅｍＳｙｍｂｏｌ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

６００

Ｕｎｉｔ

Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＣＥＳ

Ｖ_ＧＥＳ

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

±２０

Ｖ

Ａ

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

４００

８００

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

１４７０

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

２,５００

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

３（３０．６）

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｖ_ＣＥ= 600V,Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

ｍＡ

μＡ

Ｖ

１.０

２.６

８.０

－

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 400A,Ｖ_ＧＥ= 15V

－

２.１

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 400mA

Ｖ

４.０

－

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

ｐＦ

20,000

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

Ｖ_ＣＣ= 300V

Ｒ_Ｌ= 0.75Ω

Ｒ_Ｇ= 3.0Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

－

０.１５

０.３０

０.１０

０.４０

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

０.３５

０.８５

０.２５

０.８０

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

４００

８００

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 400A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 400A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 800A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.１５

０.２５

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.０８５

℃／Ｗ

Ｔhermal Ｉmpedance

（Tc測定点チップ直下）

０.２０

日本インター株式会社

12 3 4

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