Datasheet > 晶体管 > IGBT> PRFMB150E6

PRFMB150E6

更新时间： 2024-11-16 06:05:03

品牌	Logo	应用领域
NIEC		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	277K
描述
IGBT Module-Dual

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PRFMB150E6 数据手册

ＰＲＦＭＢ１５０Ｅ６

ＰＲＦＭＢ１５０Ｅ６Ｃ

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ

□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

１５０Ａ，６００Ｖ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

94.0

80 ^±0.25

7(G2)

6(E2)

11.0

12.0

12.0 11.0 12.0

(C2E1)

(E2)

(C1)

80 ^±0.25

2-Ø6.5

2-Ø5.5

12 11 12 11 12

3-M5

23.0

17.0

3-M5

4-fasten tab

#110 t=0.5

4-fasten tab

#110 t=0.5

LABEL

PRFMB150E6

PRFMB150E6C

Dimension:［mm］

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_ＣＥＳ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

６００

Ｕｎｉｔ

Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＧＥＳ

±２０

Ｖ

Ａ

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

１５０

３００

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

５６０

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

２,５００

３（３０.６）

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

３（３０.６）

２（２０.４）

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

PDMB150E6

PDMB150E6Ｃ

３（３０.６）

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｖ_ＣＥ= 600V, Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

ｍＡ

μＡ

Ｖ

１.０

２.６

８.０

－

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 150A,Ｖ_ＧＥ= 15V

－

２.１

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 150mA

Ｖ

４.０

－

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

ｐＦ

7,500

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

Ｖ_ＣＣ= 300V

Ｒ_Ｌ= 2.0Ω

Ｒ_Ｇ= 5.1Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

－

０.１５

０.２５

０.１０

０.３５

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

０.３０

０.４０

０.３５

０.７０

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

１５０

３００

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 150A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 150A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 300A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.１５

０.２５

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.２２

℃／Ｗ

Ｔhermal Ｉmpedance

（Tc測定点チップ直下）

０.４５

日本インター株式会社

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与PRFMB150E6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PRFMB150E6C	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PRFMB150W12	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PRFMB150W6	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PRFMB200E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PRFMB200W12	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PRFMB200W6	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PRFMB300E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PRFMB300E6C	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PRFMB300W12	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PRFMB300W6	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在

与PRFMB150E6相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

13
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

35
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PRFMB150E6

PRFMB150E6 数据手册

与PRFMB150E6相关器件

与PRFMB150E6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PRFMB150E6

PRFMB150E6 数据手册

与PRFMB150E6相关器件

与PRFMB150E6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？