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FMB2227A

更新时间： 2024-01-27 21:41:55

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久正 - POWERTIP		晶体晶体管开关光电二极管
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2页	32K
描述
NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT-6 Surface Mount Package

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FMB2227A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

FMB2227A 数据手册

Discrete Power

Signal Technologies

FMB2227A

Package: SuperSOT-6

Device Marking: .001

Note: The " . " (dot) signifies Pin 1

Transistor 1 is NPN device,

transistor 2 is PNP device.

NPN & PNP Complementary Dual Transistor

SuperSOT-6 Surface Mount Package

This complementary dual device was designed for use as a medium power amplifier and switch requiring

collector currents up to 300mA. Sourced from Pr19 (NPN) and Pr63 (PNP).

Absolute Maximum Ratings

T_A

= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

500

Collector Current

Power Dissipation @Ta = 25°C*

Storage Temperature Range

Junction Temperature

0.7

P_D

-55 to +150

150

°C

T_STG

T_J

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

180

°C/W

R_qJA

Electrical Characteristics

T_A

= 25°C unless otherwise noted

Test Conditions

Min

Symbol

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

Parameter

Max

Units

Collector to Emitter Voltage

Ic = 10 mA

Collector to Base Voltage

Emitter to Base Voltage

Ic = 10 uA

Ie = 10 uA

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

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2227A.lwpPr19&63(Y1)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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