PNZ102

更新时间： 2024-11-20 21:54:39

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Silicon planar type

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PNZ102 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MTGLR103-001, TO-18, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.70.80	风险等级：	5.84
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	300 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	3.5 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.05 A
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	800 nm
最大功率耗散：	0.15 W	形状：	ROUND
尺寸：	4.6 mm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

PNZ102 数据手册

Phototransistors

PNZ102 (PN102)

Silicon planar type

Unit: mm

φ4.6 0.15

Glass lens

For optical control systems

■ Features

• High sensitivity

• Wide spectral sensitivity characteristics, suited for detecting GaAs

LEDs

3-φ0.45 0.05

• Low dark current: I_CEO= 5 nA (typ.)

• Fast response: t_r, t_f= 3 µs (typ.)

• Base pin for easy circuit design

• TO-18 standard type package

2.54 0.25

1.0

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter

2: Base

3: Collector

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Emitter-collector voltage (Base open) V_ECO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

φ5.75 max.

MTGLR103-001 Package

Collector current

I_C

°C

Collector power dissipation ^*

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

150

T_opr

T_stg

−25 to +85

−30 to +100

Note) : The rate of electric power reduction is 1.5 mW/°C above T = 25°C.

■ Electrical-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CE(L)

I_CEO

λ_p

Conditions

V_CE= 10 V, L = 100 lx

V_CE= 10 V

Min

1.5

Typ

3.5

Max

Unit

Photocurrent ^*

Dark current

300

Peak emission wavelength

Half-power angle

V_CE= 10 V

800

The angle from which photocurrent

becomes 50%

Rise time ^*

t_r

t_f

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 5 mA, R_L= 100 Ω

µs

Fall time ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_CE(L)= 1 mA, L = 500 lx

0.2

0.4

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

3. This device is designed be disregarded radiation.

4. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)

2: Switching time measurement circuit

Sig. in

V_CC

t_r: Rise time

t_fFall time

(Input pulse)

90%

10%

Sig. out

(Output pulse)

50 Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2004

SHE00005BED

12 3

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