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PNZ0322 PDF预览

PNZ0322

更新时间： 2024-11-21 20:11:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电半导体
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
PIN Photodiode

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PNZ0322 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.60.50风险等级：5.61
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大暗电源：10 nA
红外线范围：YES标称光电流：0.005 mA
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：2
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PIN PHOTODIODE峰值波长：940 nm
最小反向击穿电压：30 V最大反向电压：30 V
半导体材料：Silicon形状：RECTANGULAR
尺寸：1.9 mm子类别：Photo Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

PNZ0322 数据手册

 浏览型号PNZ0322的Datasheet PDF文件第2页 
PIN Photodiodes  
PNZ0322  
Dual Division Silicon PIN Photodiode  
Unit : mm  
1.8±0.3  
0.8±0.2  
For optical information systems  
5.0±0.1  
2.54±0.1  
0.6±0.1  
4
3
Features  
Fast response : tr, tf = 10 ns (typ.)  
5˚  
Good photo current linearity  
Low dark current : ID = 10 nA (max.)  
A
B
5˚  
Small plastic package and visible light cutoff resin (flat type)  
+0.1  
4-0.6  
–0.2  
+0.1  
4-0.5±0.15  
0.2  
–0.05  
1
10˚  
2
Applications  
Auto focus sensor for still cameras and video cameras etc.  
10˚  
Distance measuring systems  
1: Anode A  
5˚  
5˚  
2: Common cathode  
3: Anode B  
4: Common cathode  
Position sensor for automatic assembly lines  
Eye sensor for industrial robots  
Note) The PNZ0322 package consists of a visible  
light cutoff resin. Therefore the chips (A and B)  
shown in the drawing cannot actually be seen.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Dimensions of detection area  
1.9  
Unit : mm  
Parameter  
Symbol  
VR  
Ratings  
30  
Unit  
V
0.55  
0.55  
0.04  
Reverse voltage (DC)  
Power dissipation  
PD  
30  
mW  
˚C  
A
B
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–25 to +85  
–30 to +100  
Tstg  
˚C  
Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Dark current  
Symbol  
VR  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
IR = 10µA  
30  
ID  
VR = 10V  
10  
nA  
µA  
nm  
ns  
*3  
Photo current  
IL  
VR = 10V, L = 1000 lx*1  
3
5
940  
10  
3
Peak sensitivity wavelength  
Response time  
λP  
tr, tf*2  
Ct  
VR = 10V  
VR = 10V, RL = 1kΩ  
VR = 10V, f = 1MHz  
Measured from the optical axis to the half power point  
Capacitance between pins  
Acceptance half angle  
pF  
θ
65  
deg.  
Note) The indicated values for absolute maximum ratings and electro-optical characteristics  
are the values corresponding to individual elements.  
*1 White tungsten lamp light source (color temperature T = 2856K)  
*2 Semiconductor laser light source (λ = 800nm)  
*3 Photo current measurement circuit  
+10V  
R1 = R2  
R1  
R2  
1
12

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