5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 12 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PN4275TRE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PN4275TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PN4275TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| PN4275TRH | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| PN4294 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
|
| PN42LENA02QE | ITT |
获取价格 |
Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches |
|
| PN42LENA02QE | LITTELFUSE |
获取价格 |
Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches |
|
| PN42LESA02QE | ITT |
获取价格 |
Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches |
|
| PN42LESA02QE | LITTELFUSE |
获取价格 |
Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches |
|
| PN4302 | CENTRAL |
获取价格 |
Junction FETs Low Frequency/ Low Noise |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
