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PN3569 PDF预览

PN3569

更新时间： 2024-11-27 06:04:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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PN3569 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.14
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

PN3569 数据手册

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PN3569  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for use at general purpose amplifiers and  
switches requiring collecor currents to 300mA.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
80  
V
CBO  
EBO  
5.0  
V
I
- Continuous  
500  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above whitch the serviceability of any semiconductor device may be impaird.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 30µA, I = 0  
40  
80  
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
5.0  
V
C
I
I
V
V
= 40V, I = 0  
50  
25  
nA  
nA  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 4.0V, I = 0  
C
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
= 1V, I = 150mA  
100  
100  
300  
FE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 30mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 150mA, I = 15mA  
0.25  
1.1  
V
V
CE  
C
C
B
= 150mA, V = 1V  
BE  
CE  
Small Signal Characteristics  
Small Signal current Gain  
h
I
= 50mA, V = 10V, f = 10MHz  
3.0  
30  
fe  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
C
CE  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2003  
123

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