5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PN121ST
PN121ST PDF预览

PN121ST

更新时间： 2024-11-19 20:29:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电
页数 文件大小 规格书
3页 195K
描述
Photo Transistor, 800nm, 0.01A I(C), CERAMIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

PN121ST 技术参数

生命周期：Active包装说明：CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：5.63Is Samacsys：N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：20 V配置：SINGLE
最大暗电源：100 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.21 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.01 A
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR峰值波长：800 nm
最大功率耗散：0.05 W形状：ROUND
尺寸：3 mm子类别：Photo Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

PN121ST 数据手册

 浏览型号PN121ST的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PN121ST的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Phototransistors  
PNZ121S (PN121S)  
Silicon planar type  
Unit: mm  
φ3.0 0.2  
For optical control systems  
■ Features  
• Stable operations in high illuminance region  
• Low dark current  
• Fast response: tr = 1 µs (typ.)  
• Small size (φ3) ceramic package  
φ0.3 0.05  
φ0.45 0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.9 0.15  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-collector voltage (Base open) VECO  
20  
5
10  
V
2
1
Collector current  
IC  
mA  
mW  
°C  
1: Collector  
2: Emitter  
Collector power dissipation  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
PC  
50  
Topr  
Tstg  
−25 to +85  
−30 to +100  
°C  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICE(L)  
ICEO  
λp  
Conditions  
VCE = 10 V, L = 1000 lx  
VCE = 10 V  
Min  
Typ  
Max  
280  
100  
Unit  
µA  
nA  
nm  
°
1,  
2
*
Photocurrent *  
120  
Dark current  
1
Peak emission wavelength  
Half-power angle  
VCE = 10 V  
800  
30  
θ
The angle from which photocurrent  
becomes 50%  
3
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 10 V, ICE(L) = 1 mA, RL = 100 Ω  
1
µs  
µs  
3
Fall time *  
1.3  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.  
3. This device is designed be disregarded radiation.  
5. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
ICE(L) (µA)  
Color  
Q
R
S
T
210 to 280  
120 to 180  
Black  
160 to 200  
Red  
180 to 235  
Green  
3: Switching time measurement circuit  
*
Sig. in  
VCC  
td: Delay time  
tr: Rise time  
tf Fall time  
(Input pulse)  
90%  
10%  
:
Sig. out  
(Output pulse)  
td  
50 Ω  
RL  
tr  
tf  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: June 2007  
SHE00015CED  
1
123

中文翻译

下载PDF

与PN121ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN12-38HDR-L PANDUIT

获取价格

 		RING TERMINALS 3 PC, NYLON INSULATED, HEAVY DUTY
PN123S PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, 0.01A I(C), CERAMIC PACKAGE-2
PN123SQ PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PN123SR PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PN123SS PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PN123ST PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PN123SU PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PN126S PANASONIC

获取价格

 		Photo Transistor, 800nm, 0.02A I(C)
PN127 ETC

获取价格

 		PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | LED-8C
PN12SHNA03QE CK-COMPONENTS

获取价格

 		Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches

与PN121ST相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证