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PN121SS

更新时间： 2024-11-19 20:29:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电
页数 文件大小 规格书
3页 195K
描述
Photo Transistor, 800nm, 0.01A I(C), CERAMIC PACKAGE-2

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PN121SS 技术参数

生命周期：Active包装说明：CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：5.63Is Samacsys：N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：20 V配置：SINGLE
最大暗电源：100 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.18 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.01 A
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR峰值波长：800 nm
最大功率耗散：0.05 W形状：ROUND
尺寸：3 mm子类别：Photo Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

PN121SS 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Phototransistors  
PNZ121S (PN121S)  
Silicon planar type  
Unit: mm  
φ3.0 0.2  
For optical control systems  
■ Features  
• Stable operations in high illuminance region  
• Low dark current  
• Fast response: tr = 1 µs (typ.)  
• Small size (φ3) ceramic package  
φ0.3 0.05  
φ0.45 0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.9 0.15  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-collector voltage (Base open) VECO  
20  
5
10  
V
2
1
Collector current  
IC  
mA  
mW  
°C  
1: Collector  
2: Emitter  
Collector power dissipation  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
PC  
50  
Topr  
Tstg  
−25 to +85  
−30 to +100  
°C  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICE(L)  
ICEO  
λp  
Conditions  
VCE = 10 V, L = 1000 lx  
VCE = 10 V  
Min  
Typ  
Max  
280  
100  
Unit  
µA  
nA  
nm  
°
1,  
2
*
Photocurrent *  
120  
Dark current  
1
Peak emission wavelength  
Half-power angle  
VCE = 10 V  
800  
30  
θ
The angle from which photocurrent  
becomes 50%  
3
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 10 V, ICE(L) = 1 mA, RL = 100 Ω  
1
µs  
µs  
3
Fall time *  
1.3  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.  
3. This device is designed be disregarded radiation.  
5. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
ICE(L) (µA)  
Color  
Q
R
S
T
210 to 280  
120 to 180  
Black  
160 to 200  
Red  
180 to 235  
Green  
3: Switching time measurement circuit  
*
Sig. in  
VCC  
td: Delay time  
tr: Rise time  
tf Fall time  
(Input pulse)  
90%  
10%  
:
Sig. out  
(Output pulse)  
td  
50 Ω  
RL  
tr  
tf  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: June 2007  
SHE00015CED  
1
123

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