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PMV16UN

更新时间： 2024-02-26 09:34:34

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TYSEMI		晶体驱动器继电器晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
4页	427K
描述
20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET Trench MOSFET technology Relay driver

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技术参数
数据手册

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PMV16UN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	1.53
Samacsys Description：	Nexperia PMV16XNR N-channel MOSFET, 8.6 A, 20 V PMV16XN, 3-Pin SOT-23	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6.8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMV16UN 数据手册

Product specification

PMV16UN

20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 4 April 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Low threshold voltage

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 Low-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j= 25 °C

V_GS

I_D

gate-source

voltage

-8

[1]

drain current

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C

5.8

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.5 V; I_D= 5.8 A;

mΩ

on-state

T_j= 25 °C

resistance

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 6 cm².

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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