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PMEG1020EA

更新时间： 2024-06-27 12:11:19
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3页 149K
描述
Schottky Diodes

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PMEG1020EA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-76
包装说明：PLASTIC, SMD, SC-76, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.37Is Samacsys：N
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.13 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：9 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

PMEG1020EA 数据手册

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SMD Type  
Diodes  
Schottky Diodes  
PMEG1020EA  
SOD-323  
Ƶ Features  
ƽ Forward current: 2A  
ƽ Reverse voltage: 10V  
ƽ Ultra low forward voltage  
1
2
ƽ Very small plastic SMD package.  
Top View  
PIN DESCRIPTION  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Cathode  
Anode  
2
Ƶ Maximum Ratings T =25ć  
a
Parameter  
Symbol  
Value  
10  
2
Unit  
V
Continuous reverse voltage  
Continuous forward current  
Repetitive peak forward current  
Non-repetitive peak forward current  
Thermal resistance from junction to ambient  
V
R
I
F
Tspİ55ć  
A
ć/W  
ć
I
I
FRM  
3.2  
9
450  
210  
90  
tpİ1ms; įİ0.5  
tp=8ms square wave  
Note 1  
FSM  
R
thJA  
thJS  
Note 2  
thermal resistance from junction to solder point Note 3  
Junction temperature  
Storage temperature  
R
TJ  
150  
T
T
STG  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating ambient temperature  
amb  
Note: 1.Refer to SOD-323 standard mounting conditions.  
2.Device mounted on an FR4 printed-circuit board with copper clad 10x10mm.  
3.Solder point of cathode tab.  
Ƶ Electrical Characteristics Ta = 25ć unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 100 ȝA  
see Fig.1; note 1  
Min  
10  
Typ  
Max Unit  
Reverse breakdown voltage  
V
R
I
R
V
I
I
I
I
F
F
F
F
=0.01A  
=0.1A  
=1A  
130  
200  
350  
450  
Forward voltage  
V
F
mV  
=2A  
see Fig.2; note 2  
V
V
V
R
R
R
=5V  
=8V  
=10V  
2
2.5  
3
Reverse current  
I
R
mA  
pF  
Diode capacitance  
C
D
V
R=5V, f=1MHz; see Fig.3  
45  
Note 1. Pulse test: t  
p=300ȝs; į=0.02.  
2. For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power  
losses (P  
R) are a significant part of the total power losses.  
Ƶ Marking  
Marking  
E2  
1
www.kexin.com.cn  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG1020EA,115 NXP

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