PMD1601K

更新时间： 2024-11-25 06:04:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	193K
描述
Silicon NPN Darlingtion Power Transistor

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PMD1601K 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

PMD1601K 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor

PMD1602K

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

_(BR)CEO= 80V(Min)

·Complement to type PMD1702K

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low frequency

switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

5.0

Collector Current -Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

I_CP

I_B

0.5

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

180

150

-65~200

℃

T_j

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

ThermalResistance, Junction to Case

0.97

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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