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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> PK25F40
PK25F40 PDF预览

PK25F40

更新时间： 2024-11-23 22:18:07
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 121K
描述
THYRISTOR MODULE

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PK25F40 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大直流栅极触发电流：50 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：2G-2GR
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：50 mA
最大漏电流：10 mA通态非重复峰值电流：580 A
最大通态电压：1.5 V最大通态电流：25000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

PK25F40 数据手册

 浏览型号PK25F40的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE,KK  
PK  
25F  
UL:E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK25F series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide  
voltage ratings up to 1,600V are available. High precision 25mm (1inch) width package  
and electrically isolated mounting base make your mechanical design easy.  
92  
20  
17.5  
20  
20  
2-  
6
●
T(AV)  
I
T(RMS)  
25A, I  
TSM  
39A, I  
580A  
● di/dt 100 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
2.8  
�
M5X10  
K2  
G2  
K2  
G2  
#110TAB  
（Applications）  
Various rectifiers  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
3
2
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
3
2
1
A1K2  
K1  
（K2）�  
（A2）�  
A1K2  
PK  
PE  
80±0.2  
K2  
2
K2  
G2  
3
2
1
1
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
K1G1  
（A2）�  
A1K2  
（A1）�  
Static switches  
PD  
KK  
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
Ratings  
PK25F40  
PD25F40  
PE25F40  
KK25F40  
PK25F80  
PD25F80  
PE25F80  
KK25F80  
PK25F120  
PD25F120  
PE25F120  
PK25F160  
PD25F160  
PE25F160  
KK25F160  
Symbol  
Item  
Unit  
KK25F120  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
400  
480  
400  
800  
960  
800  
1200  
1300  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
＊
＊
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
Symbol  
T（AV）  
I
Item  
Conditions  
Ratings  
25  
Unit  
A
＊Average On-State Current  
＊R.M.S. On-State Current  
＊Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：96℃  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：96℃  
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-repetitive  
Value for one cycle of surge current  
T（RMS）  
I
39  
A
1
TSM  
I
A
530 580  
/
2
2
2
2
I t  
1400  
10  
A S  
＊I t  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
W
W
A
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
10  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
100  
2500  
di／dt  
ISO  
V
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
V
，dI dt＝0.1A μs  
A μs  
/
/
/
2
A.C.1minute  
V
℃
℃
＊
＊
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Tj  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
2.7（28）  
2.7（28）  
170  
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mounting  
Torque  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
g
Mass  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
DRM  
I
Item  
Conditions  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
Ratings  
10  
Unit  
mA  
mA  
V
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
RRM  
I
DRM  
10  
＊
＊
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
1.55  
On-State Current 75A, Tj＝25℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
50 3  
mA V  
/
/
1
GD  
V
D
DRM  
0.25  
10  
V
Tj＝125℃，V ＝／V  
2
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝25A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI dt＝0.1A μs  
μs  
/
/
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
500  
50  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V μs  
/
3
H
I
mA  
mA  
Tj＝25℃  
Tj＝25℃  
Junction to case  
L
I
Lutching Current, typ.  
100  
0.78  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max.  
℃ W  
/
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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