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PJSD05CTM

更新时间： 2024-11-25 10:09:47
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强茂 - PANJIT 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE

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PJSD05CTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.63最大击穿电压：7.82 V
最小击穿电压：5.78 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值反向功率耗散：100 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PJSD05CTM 数据手册

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PJSD05CTM  
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE  
This Penta has been designed to Protect Sensitive Equipment against ESD and to prevent Latch-Up  
events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below.This offers an integrated solution to protect up to  
data line where the board space is a premium.  
S O D -9 2 3  
SPECIFICATION FEATURES  
• 100W Power Dippsipation (8/20µs Waveform)  
• Low Leakage Current,Maximum of 1µA@5Vdc  
• Very low Clamping voltage  
0.034(0.85)  
0.029(0.75)  
• IEC 61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directivess  
0.018(0.45)  
APPLICATIONS  
0.013(0.35)  
• Video I/O ports protection  
• Set Top Boxes  
• Portable Instrumentation  
• Case : SOD-923, Plastic  
0.042(1.05)  
0.037(0.95)  
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Approx. Weight : 0.0004gram  
• Marking : H  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Units  
W
Peak Pulse Power (8/20 µs Waveform)  
P
PP  
Maximum Peak Pulse Current (8/20 µs Waveform)  
ESD Voltage (HBM)  
5.0  
A
I
PP  
>25  
kV  
OC  
VESD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T
J
,TSTG  
-55 to 125  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
5.0  
Units  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage (8/20µs)  
Off State Junction Capacitance  
V
WRM  
-
-
-
-
-
-
V
V
V
BR  
R
I
BR=1mA  
5.78  
7.82  
1.0  
µA  
V
I
V
R=5V  
-
-
-
V
C
I
PP=1A  
12.5  
30  
C
J
0 Vdc Bias f=1MHz  
pF  
PAGE . 1  
REV.0.6-JAN.14.2009  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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