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PJSD03LCFN2

更新时间： 2024-11-21 10:09:47
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强茂 - PANJIT 二极管
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3页 59K
描述
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE

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PJSD03LCFN2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：R-PBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.68
最大击穿电压：7 V最小击穿电压：5.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散：40 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PJSD03LCFN2 数据手册

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PJSD03LCFN2  
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE  
This bi-directional TVS has been designed to protect sensitive equipment against ESD and to prevent Latch-Up  
events in CMOS circuitry operating at 3.3Vdc and below.This offers an integrated solution to protect a single data  
line where the board space is a premium.  
SPECIFICATION FEATURES  
0.042(1.05)  
• 40W Power Dissipation (8/20μs Waveform)  
0.037(0.95)  
• Low Leakage Current, Maximum of 2.5μA@3.3Vdc  
• Very low Clamping voltage  
• IEC 61000-4-2 ESD 30kV air, 30kV Contact Compliance  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Case : DFN 2L, Plastic  
• Marking : BS  
0.002(0.05)MAX.  
APPLICATIONS  
0.013(0.32)  
• Video I/O ports protection  
0.008(0.22)  
• Set Top Boxes  
• Portable Instrumentation  
PIN NO.1  
IDENTIFICATION  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
PPP  
Value  
Units  
W
Peak Pulse Power (8/20 μs Waveform)  
40  
6
Peak Pulse Current (8/20 μs Waveform)  
A
I PPM  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T
J
,TSTG  
-55 to +150  
OC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TJ=25oC)  
Parameter  
Reverse Stand-Off Voltage  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
3.3  
7.0  
2.5  
10  
Units  
V
V
WRM  
-
5.4  
-
-
-
-
-
-
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage (8/20μs)  
Off State Junction Capacitance  
V
BR  
R
I
BR=1mA  
V
I
V
R=3.3V  
μA  
V
V
C
I
PP=6A  
-
C
J
0 Vdc Bias f=1MHz  
-
25  
pF  
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE  
PAGE . 1  
January 05,2011-REV.00  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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