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PJ06N03D

更新时间： 2024-09-17 06:03:31

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关脉冲
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4页	145K
描述
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PJ06N03D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PJ06N03D 数据手册

PJ06N03D

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TO-252

FEATURES

• R_DS(ON), V_GS@10V,I_DS@30A=6mΩ

• R_DS(ON), V_GS@4.5V,I_DS@30A=9mΩ

• Advanced Trench Process Technology

• High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

• Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment

substance directive request

MECHANICALDATA

• Case: TO-252 Molded Plastic

• Terminals : Solderable per MIL-STD-750D,Method 1036.3

• Marking : 06N03D

Drain

Gate

Source

Maximum RATINGS and Thermal Characteristics (T_A=25^OC unless otherwise noted )

PARAMETER

Symbol

V_DS

Limit

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

V_GS

+20

I_D

Pulsed Drain Current

I_DM

320

T_A=25^O

T_A=75^O

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55 to + 150

^OC

Avalanche Energy with Single Pulse

ID=40A, VDD=25V, L=0.5mH

E_AS

400

1.8

^OC/W

Junction-to-Case Thermal Resistance

R_{θ JC}

Junction-to Ambient Thermal Resistance(PCB mounted)²

R_{θ JA}

Note: 1. Maximum DC current limited by the package

2. Surface mounted on FR4 board, t < 10 sec

PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE

STAD-JUN.19.2006

PAGE . 1

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