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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T12 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PID1501PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| PID1502 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.15ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| PID1502PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.15ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| PID150H-251M | TDK |
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L=2x250μHRated current=1.2A |
|
| PID1512 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| PID1602 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
|
| PID1609 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.28ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| PID1609PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.28ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| PID2309 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.28ohm, 6-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| PID-250 | MEANWELL |
获取价格 |
250W Isolated Dual Output with PFC Function |
|
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